| 主权项 |
1.一种在半导体底材表面上形成不同厚度氧化层 的方法,包含: 以一光阻材质层覆盖且图案化于一半导体底材表 面上; 在该光阻材质覆盖的半导体底材表面上,移除部分 的光阻材质层以曝露出一元件隔离区(device isolated region); 增加一曝露之半导体底材表面的氧化速率差异値, 包含把一曝露的半导体底材材质从一非孔性矽晶 材转变为一多孔性矽晶材; 移除该光阻材质层; 氧化该半导体底材表面; 形成一具有第一厚度的第一氧化层于该曝露之半 导体底材表面;以及 形成一具有第二厚度的第二氧化层于该覆盖之半 导体底材表面,其中该第一厚度大于该第二厚度。 2.一种在半导体底材表面上形成不同厚度氧化层 的方法,包含: 以一光阻材质层覆盖且图案化于一半导体底材表 面上; 在该光阻材质覆盖的半导体底材表面上,移除部分 的光阻材质层以曝露出一元件隔离区(device isolated region); 增加一曝露之半导体底材表面的氧化速率差异値, 包含把一曝露的半导体底材材质从一非孔性矽晶 材转变为一多孔性矽晶材; 移除该光阻材质层; 氧化该半导体底材表面; 形成一具有第一厚度的第一氧化层于该曝露之半 导体底材表面;以及 形成一具有第二厚度的第二氧化层于该覆盖之半 导体底材表面,其中该第一厚度大于该第二厚度, 其中增加氧化速率差异値的步骤,更包含把该半导 体底材沉浸于溶液中,且通过约0.1到约300毫安培/ 平方公分的电流。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该溶液包含氢 氟酸、一氧化剂和一溶剂,其中该溶剂可由乙醇、 乙二醇、非质子性溶剂、和含有上述至少一个溶 剂之化合物所构成的群组中所选出。 4.如申请专利范围第1项之方法,更包含使用浅沟槽 隔离(shallow trench isolation)以形成一浅沟槽。 5.如申请专利范围第4项之方法,更包含充填浅沟槽 以形成一元件隔离区。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中移除部分光阻 层的步骤,更包含蚀刻该光阻层。 7.一种在半导体底材表面上形成不同厚度氧化层 的方法,包含: 以一光阻材质层覆盖且图案化于一半导体底材表 面上; 在该光阻材质覆盖的半导体底材表面上,移除部分 的光阻材质层以曝露出一元件隔离区(device isolated region); 增加一曝露之半导体底材表面的氧化速率差异値, 包含把一曝露的半导体底材材质从一非孔性矽晶 材转变为一多孔性矽晶材; 移除该光阻材质层; 氧化该半导体底材表面; 形成一具有第一厚度的第一氧化层于该曝露之半 导体底材表面;以及 形成一具有第二厚度的第二氧化层于该覆盖之半 导体底材表面,其中该第一厚度大于该第二厚度, 其中形成该第一氧化层的步骤,更包含在该半导体 底材表面的一多孔性矽晶层上形成一第一氧化层 。 8.一种在半导体底材表面上形成不同厚度氧化层 的方法,包含: 以一光阻材质层覆盖且图案化于一半导体底材表 面上; 在该光阻材质覆盖的半导体底材表面上,移除部分 的光阻材质层以曝露出一元件隔离区(device isolated region); 增加一曝露之半导体底材表面的氧化速率差异値, 包含把一曝露的半导体底材材质从一非孔性矽晶 材转变为一多孔性矽晶材; 移除该光阻材质层; 氧化该半导体底材表面; 形成一具有第一厚度的第一氧化层于该曝露之半 导体底材表面;以及 形成一具有第二厚度的第二氧化层于该覆盖之半 导体底材表面,其中该第一厚度大于该第二厚度, 其中形成该第二氧化层的步骤,更包含在该半导体 底材表面的一非孔性矽晶层上形成一第二氧化层 。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该第一氧 化层的步骤,更包含在该曝露的半导体表面上,利 用沉积一氧化材质而形成一具有第一厚度的第一 氧化层。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中形成该第二 氧化层的步骤,更包含在该覆盖的半导体底材表面 上,利用沉积一氧化材质而形成一具有第二厚度的 第二氧化层。 11.一种在半导体底材表面制造多重开氧化层厚度( multiple gate oxide thicknesses)的方法,包含: 以一光阻材质在一半导体底材表面形成光罩; 蚀刻该半导体底材的部分表面; 把一非孔性半导体底材材质转变为一多孔性半导 体底材材质; 剥除该光阻材质; 氧化该半导体底材表面;以及 形成二个以上的闸氧化层,其中一第一闸极氧化层 形成于该半导体底材表面的一多孔性矽晶层上,一 第二闸极氧化层形成于该半导体底材表面的一非 孔性矽晶层上,且该第一闸氧化层的厚度大于该第 二闸氧化层厚度。 12.如申请专利范围第11项之方法,其中的转变步骤, 更包含把该半导体底材沉浸于氢氟酸电解槽,且通 过约0.1到约300毫安培/平方公分的电流至槽中。 13.一种在半导体底材表面形成不同厚度氧化层的 方法,包含: 以一光阻材质在一半导体底材表面形成光罩; 蚀刻该半导体底材的部分表面; 增加该半导体底材表面的蚀刻部分氧化速率差异 値包含形成一多孔性矽晶层; 剥除该光阻材质; 氧化该半导体底材表面;以及 生成二个以上的氧化层,其中一第一氧化层形成于 该半导体底材表面的蚀刻部分,一第二氧化层形成 于该半导体底材表面的非蚀刻部分,且位于该多孔 性矽晶层上之该第一氧化层的厚度大于该第二氧 化层的厚度。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中形成一多孔 性矽晶层的步骤,系将该半导体底材表面的经蚀刻 部分,从一非孔性矽晶材转变为一多孔性矽晶材。 15.如申请专利范围第13项之方法,其中形成一多孔 性矽晶层的步骤,系将一多孔性矽晶材料层沉积在 该半导体底材表面的经蚀刻部分上。 图式简单说明: 图1至图6为在半导体晶方上制造不同氧化厚度制 程步骤的截面示意图。 |
