| 主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,包含: 在一基板上形成一内绝缘层; 在内绝缘层上形成多数个开口; 在该等开口与内绝缘层上形成一位障金属层; 在填充开口后,在位障金属层上形成一第一导电层 ; 进行第一次蚀刻制程,并伴随着在第一导电层上的 过度蚀刻以形成填充开口之内导线层; 在经过第一次蚀刻制程后,该位障金属层之露出部 分上进行第二次蚀刻制程,以使在该等开口顶端的 侧面部位垂直的连线弧度形成倾斜; 在内绝缘层上形成一第二导电层,多数内导线层及 具有倾斜之连线弧度之位障金属层;以及 选择性地将第二导电层图案化以形成金属线。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中第一次蚀刻制 程和第二次蚀刻制程系利用感应藕合电浆(ICP)作 为电浆源之电浆蚀刻制程以毯覆式乾蚀刻制程进 行。 3.如申请专利范围第2项的方法,其中第二次蚀刻制 程系以一物理化学性蚀刻位障金属层之气体作为 一主要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 4.如申请专利范围第2项之方法,其中第二次蚀刻制 程系以一物理化学性蚀刻位障金属层之气体作为 一主要蚀刻气体,并添加一化学性蚀刻位障金属层 之气体至主要蚀刻气体,且使用偏压偏压功率至少 大于约150 W。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中第二次蚀刻制 程系以一物理性蚀刻位障金属层之气体作为一主 要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 6.如申请专利范围第2项之方法,其中第二次蚀刻制 程系以一物理性蚀刻位障金属层之气体至一主要 蚀刻气体,并添加一化学性蚀刻位障金属层之气体 作为主要蚀刻气体,且偏压偏压功率至少大于约150 W。 7.如申请专利范围第6项的方法,其中偏压功率范围 从大约150 W到300 W。 8.如申请专利范围第6项之方法,其中该等开口为多 个接触窗或介层洞二者之一。 9.如申请专利范围第6项之方法,其中位障金属层包 括选自于钛氮化物、钛及其组合物等之一者。 10.如申请专利范围第9项的方法,其中第一导电层 包括钨。 11.如申请专利范围第9项的方法,其中第二导电层 包括铝。 12.如申请专利范围第6项之方法,其中第一次蚀刻 制程和第二次蚀刻制程系以临场(in situ)的方式在 利用相同之电浆源的蚀刻设备中进行。 13.如申请专利范围第6项的方法,其中第一次蚀刻 制程和第二次蚀刻制程系以离场(ex situ)的方式在 利用不同电浆源的蚀刻设备中进行。 14.一种半导体装置的制造方法,包含: 在一基板上形成一内绝缘层; 在内绝缘层上形成多个开口; 在内绝缘层与该等开口上形成一氮化钛(TiN)层; 在填充开口后,在氮化钛层上形成一钨层; 进行第一次蚀刻制程,并伴随着在钨层上的过度蚀 刻以形成填充开口之钨栓塞; 在经过第一次蚀刻制程后之氮化钛层之露出部分 上进行第二次蚀刻制程,以使在该等开口顶端的侧 面部位形成一垂直的连线弧度倾斜; 在内绝缘层上形成一铝层,多个钨栓塞及具有倾斜 之连线弧度之氮化钛层;以及 选择性地将铝层图案化以形成金属线。 15.如申请专利范围第14项之方法,其中第二次蚀刻 制程系以一物理化学性蚀刻氮化钛层之气体作为 一主要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中第二次蚀刻 制程系以三氯化硼(BCl3)之气体作为一主要蚀刻气 体,且偏压功率范围在约150 W到300 W之间。 17.如申请专利范围第16项之方法,其中三氯化硼气 体之流量大约为50 sccm到500 sccm。 18.如申请专利范围第14项之方法,其第二次蚀刻制 程系以一物理化学性蚀刻氮化钛层之气体至该主 要蚀刻气体,并添加一化学性蚀刻氮化钛层之气体 作为主要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 19.如申请专利范围第18项之方法,其中主要蚀刻气 体及添加于主要蚀刻气体之气体分别为三氯化硼 气体及氯气(Cl2),且偏压功率范围在约150 W到300 W之 间。 20.如申请专利范围第19项的方法,其中三氯化硼气 体之流量大约为50 sccm到500 sccm而氯气之流量大约 为5 sccm到50 sccm。 21.如申请专利范围第14项之方法,其中第二次蚀刻 制程系以一物理性蚀刻氮化钛层之气体作为一主 要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中主要蚀刻气 体为氩气(Ar),且偏压功率范围在约150 W到300 W之间 。 23.如申请专利范围第22项之方法,其中,氩气之流量 大约为100 sccm到1,000 sccm。 24.如申请专利范围第14项之方法,其中第二次蚀刻 制程系以一物理性蚀刻氮化钛层之气体至该主要 蚀刻气体,并添加一化学性蚀刻氮化钛层之气体作 为主要蚀刻气体,且偏压功率至少大于约150 W。 25.如申请专利范围第24项之方法,其中主要蚀刻气 体及添加于主要蚀刻气体之气体分别为氩气和氯 气,且偏压功率范围在约150 W到300 W之间。 26.如申请专利范围第25项之方法,其中氩气之流量 大约为100 sccm到1,000 sccm,氯气之流量大约为5 sccm到 50 sccm。 27.如申请专利范围第14项之方法,其中氮化钛层作 为一位障金属层。 28.如申请专利范围第14项之方法,其中第一次蚀刻 制程所使用之一种主要蚀刻气体为选自于四氟化 碳(CF4)、六氟化硫(SF6)及三氟化氮(NF3)所构成之组 群。 29.如申请专利范围第14项之方法,其中第一次蚀刻 制程以四氟化碳作为主要蚀刻气体,而以氧气添加 至四氟化碳气体。 30.如申请专利范围第29项之方法,其中第一次蚀刻 制程和第二次蚀刻制程系利用感应藕合电浆(ICP) 作为电浆源之电浆蚀刻制程以毯覆式乾蚀刻制程 进行。 31.如申请专利范围第30项之方法,其中第一次蚀刻 制程和第二次蚀刻制程系以临场(in situ)的方式在 以感应藕合电浆(ICP)作为电浆源之蚀刻设备内进 行。 32.如申请专利范围第29项之方法,其中第一次蚀刻 制程和第二次蚀刻制程系以离场(ex situ)的方式在 利用不同电浆源的蚀刻设备内进行。 图式简单说明: 第1A图至第1C图是一个说明使用传统的钨栓塞制程 而在半导体装置形成金属线的截面图; 第2A图至第2E图是依据本发明所揭露之一特定实施 例之一种制造具有金属线半导体方法之截面图; 第3图是一个依据本发明所揭露之实施例的第二次 毯覆式乾蚀刻制程的第一种方法之截面图; 第4图是一个依据本发明所揭露之实施例的第二次 毯覆式乾蚀刻制程的第二种方法之截面图; 第5图是一个依据本发明所揭露之实施例的第二次 毯覆式乾蚀刻制程的第三种方法之截面图;以及 第6图是一个依据本发明所揭露之实施例的第二次 毯覆式乾蚀刻制程的第四种方法之截面图。 |
