| 主权项 |
1.一种具有中间基板之堆叠构装结构,包括: 一第一封装体,该第一封装体具有一载板,在该载 板表面配置至少一半导体晶片,且该载板之另一表 面配置有复数个焊球; 一第二封装体,该第二封装体具有一载板,在该载 板表面配置至少一半导体晶片;以及 一中间基板,该中间基板介于该第一封装体之该载 板与该第二封装体之该载板之间,且该中间基板之 对应该第二封装体之该半导体晶片位置设有一中 空部,该中间基板对应该第一封装体之该些焊球位 置设有对应之复数个穿孔。 2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该中间基 板之材料为FR4树酯或BT树酯。 3.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该些穿孔 之孔壁电镀一金属层。 4.如申请专利范围第1项或第3项所述之结构,其中 该些穿孔之截面呈柱型。 5.如申请专利范围第1项或第3项所述之结构,其中 该些穿孔之截面呈锥型。 6.如申请专利范围第1项或第3项所述之结构,其中 该些穿孔之截面呈沙漏型。 7.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一封 装体之该半导体晶片与该第二封装体之该半导体 晶片系不同功能之半导体晶片。 8.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该第一封 装体配置该半导体晶片之该载板表面更包含配置 至少一被动元件。 9.一种具有中间基板之堆叠构装制造方法,至少包 含下列步骤: 提供一第一封装体,该第一封装体具有一载板、至 少一半导体晶片及复数个焊球; 黏合一中间基板于该第一封装体之该载板上,该中 间基板设有一第一表面、一第二表面与一开口,且 对应该第一封装体之该些焊球位置设有复数个穿 孔,该些穿孔对正并套入该第一封装体之该些焊球 ; 涂布一助焊剂于该中间基板之该些穿孔内,以润湿 该些焊球; 提供一第二封装体,该第二封装体配置至少一半导 体晶片及复数个焊球,该半导体晶片系容置于该中 间基板之中空部内,且该第二封装体以该些焊球对 正于该中间基板之该些穿孔后,堆叠配置于该第一 封装体上;以及 进行回焊及烘烤制程以电性接合该第一封装体与 第二封装体。 10.如申请专利范围第9项所述之具有中间基板之堆 叠构装制造方法,其中该制程于该黏合该中间基板 与该第一封装体之步骤之前更进一步包含: 涂布一黏着剂于该中间基板之该第一表面。 11.如申请专利范围第10项所述之具有中间基板之 堆叠构装制造方法,其中该黏着剂系为UV黏胶。 12.如申请专利范围第10项所述之具有中间基板之 堆叠构装制造方法,其中该黏着剂系为热塑性黏胶 。 13.如申请专利范围第9项所述之具有中间基板之堆 叠构装制造方法,其中该制程于该黏合该中间基板 与该第一封装体之步骤与该提供一第二封装体之 步骤之间更进一步包含: 涂布一黏着剂于该中间基板之该第二表面。 14.如申请专利范围第13项所述之具有中间基板之 堆叠构装制造方法,其中该黏着剂系为UV黏胶。 15.如申请专利范围第13项所述之具有中间基板之 堆叠构装制造方法,其中该黏着剂系为热塑性黏胶 。 16.如申请专利范围第9项所述之具有中间基板之堆 叠构装制造方法,其中该中间基板之该些穿孔之孔 壁电镀一金属层。 17.如申请专利范围第9项所述之具有中间基板之堆 叠构装制造方法,其中该第一封装体之该半导体晶 片与该第二封装体之该半导体晶片系不同功能之 半导体晶片。 18.如申请专利范围第9项所述之具有中间基板之堆 叠构装制造方法,其中该第一封装体之该载板更包 含配置于该表面之至少一被动元件。 图式简单说明: 第1图 系习知系统化构装件之堆叠构装制程。 第2图 系本发明之具有中间基板之堆叠构装结构 。 第3图 系第2图之制造流程示意图。 第4图 系本发明之中间基板穿孔之不同截面实施 例。 |
