| 主权项 |
1.一种处理方法,使用至少含氢的处理气体电浆终 止在至少局部含矽系统材料之物体中的悬空键,该 处理方法包括以下步骤: 将物体放在包括介电窗及感受器之处理室的感受 器上,及控制感受器的温度到预设温度; 控制处理室的压力到预设压力; 导入处理气体到处理室内;及 透过介电窗导入对物体电浆处理用的微波到处理 室内,使得处理气体的电浆具有1011 cm-3或更大的电 浆密度,其中介电窗和物体之间的距离被维持在20 mm和200 mm之间。 2.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中电浆处 理无需施加偏压。 3.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中导入微 波的该步骤事先调节供应微波之微波产生器的输 出,以便获得电浆密度。 4.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中距离在 50 mm和150 mm之间。 5.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中预设温 度在200℃和400℃之间。 6.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中预设压 力在13 Pa和665 Pa之间。 7.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中控制压 力的该步骤可包括以下步骤: 在高于预设压力的压力下点燃电浆;及 在该点燃步骤之后将压力改变成预设压力。 8.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中介电窗 具有70 W/mK或更大的热导率。 9.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中导入微 波的该步骤使用具有一或更多隙缝的天线以导入 微波到介电窗内。 10.根据申请专利范围第1项之处理方法,其中处理 气体至少在电浆点燃时包括惰性气体。 11.一种处理装置,对至少局部含矽系统材料的物体 提供电浆处理并且终止在物体的悬空键,该处理装 置包含: 处理室,连接到供应微波的微波产生器,包括使来 自微波产生器的微波可被导入该处理室内之介电 窗,及支撑物体之感受器; 导入部分,用以导入至少含氢气的处理气体到处理 室内; 量测部分,用以量测处理气体的电浆之电浆排出状 态;及 控制器,用以比较该量测部分的量测结果与参考値 以维持电浆密度到1011 cm-3或更大,及当决定电浆密 度低于1011 cm-3时用以给予不正常排出的警告,其中 介电窗和物体之间的距离被维持20 mm和200 mm之间 。 图式简单说明: 图1为根据本发明的一实施例之处理装置的概要方 块图。 图2为距图1之介电窗及物体的距离和由于氢电浆 的抗蚀薄膜减少速度之间的关系区线图。 图3为电浆照射之后的图1之介电窗的温度上升和 热导率之间的关系区线图。 图4A到4E为适合图1的隙缝天线之各种形状的平面 图。 图5为氢电浆点燃和氢气压力之间的关系区线图。 图6为说明高密度电浆所导致的微波截止现象图, 图6A为无产生截止的低密度电浆图,及图6B为产生 截止的高密度电浆图。 图7为距介电的距离和微波电场强度之间的关系区 线图。 |
