| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,包括: 一闸极线形成于一绝缘基板上, 其中该闸极线当中一区段之一边凸出而形成一凸 出区域,以及该区段具有一内陷区域正对于该凸出 区域; 一画素电极形成于该绝缘基板上; 一主动层形成于该区段上; 一源极线依大体上垂直于该闸极线之延伸方向横 跨该主动层与该闸极线之重叠区域而延伸超出该 主动层之边界;以及 一汲极线耦接该画素电极,与该画素电极电性连接 ,并依大体上平行于该源极线之延伸方向,横跨该 主动层与该区段之重叠区域。 2.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该区段正对于该凸出边之另一边系内陷而形成该 内陷区域。 3.如申请专利范围第1项所述之液晶显示装置,其中 该区段系具有一空洞区域正对于该之凸出区域而 形成该内陷区域。 4.一种液晶显示装置,包括: 一闸极线形成于一绝缘基板上, 其中该闸极线当中一区段之两边凸出而分别形成 第一及第二凸出区域,并且具有一空洞区域于该第 一及第二凸出区域中间而将该区段分隔成第一部 分及第二部分; 一第一及第二主动层分别形成于该闸极线之第一 部分及第二部分上; 一第一及第二画素电极分别形成于该绝缘基板上; 一源极线依大体上垂直于该闸极线之延伸方向横 跨该主动层与该第一部分之重叠区域以及该主动 层与该第二部分之重叠区域;以及 一第一及第二汲极线分别耦接该第一及第二画素 电极,并依大体上平行于该源极线之延伸方向,分 别横跨该第一及第二主动层分别与该第一及第二 部分之重叠区域。 5.一种液晶显示装置之形成方法,包括: 形成一闸极线于一绝缘基板上, 其中该闸极线当中一区段之一边凸出而形成一凸 出区域,以及具有一内陷区域正对于该凸出区域; 形成一主动层于该区段上; 定义一源极线与一汲极线于该主动层及绝缘基板 上,以令该源极线依大体上垂直于该闸极线之延伸 方向来横跨该主动层与该闸极线之重叠区域而延 伸超出该主动层之边界,以及令该汲极线依大体上 平行于该源极线之延伸方向,由该闸极线凸出侧一 预定形成一画素电极之区域,横跨该主动层与该闸 极线之重叠区域;以及 形成一画素电极于该画素电极区域,与该汲极线电 性连接。 6.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置之形 成方法,其中该区段正对于该凸出边之另一边系内 陷而形成该内陷区域。 7.如申请专利范围第5项所述之液晶显示装置之形 成方法,其中该区段系具有一空洞区域正对于该之 凸出区域而形成该内陷区域。 8.一种液晶显示装置之形成方法,包括: 形成一闸极线于一绝缘基板上, 其中该闸极线当中一区段之两边凸出而分别形成 第一及第二凸出区域,并且具有一空洞区域于该第 一及第二凸出区域中间而将该区段分隔成第一部 分及第二部分; 分别形成一第一及第二主动层于该闸极线之第一 部分及第二部分上; 定义一源极线于该第一、第二主动层及绝缘基板 上,以及定义第一及第二汲极线分别于该第一及第 二主动层与绝缘基板上,以令该源极线依大体上垂 直于该闸极线之延伸方向横跨该主动层与该第一 部分之重叠区域以及该主动层与该第二部分之重 叠区域,以及令该第一及第二汲极线依大体上平行 于该源极线之延伸方向,分别由该闸极线其中一侧 一预定形成一第一及第二电极之区域来横跨该第 一及第二主动层分别与该第一及第二部分之重叠 区域;以及 形成该第一及第二画素电极,分别与该第一及第二 汲极线电性连接。 图式简单说明: 第1图系一传统TFT-LCD装置当中一画素单元之平面 图; 第2图系第1图之传统TFT-LCD装置当中一画素单元于 曝光时源极/汲极向右偏移之平面图; 第3图系一TFT-LCD当中一画素单元之等效电路图; 第4A及4B图系显示本发明之一LCD装置当中一画素单 元之实施例的平面图,并于TFT附近具有不同之闸极 线宽度而具有不同之内陷区域; 第5A至5E图系呈现第4A图LCD装置当中一画素单元沿 直线AA'之形成过程之剖面图; 第6A至6E图系呈现第4A图LCD装置当中一画素单元形 成过程之平面图; 第7图系显示本发明另一LCD装置当中一画素单元之 实施例的平面图;以及 第8A至8E图系呈现第7图之LCD装置当中一画素单元 形成过程之平面图。 |
