| 主权项 |
1.一种溅镀装置,包括: (a)一室; (b)一靶材; (c)一工件支撑件,其具有一支撑表面; (d)一处理区域,其位于该靶材与该工件支撑件之间 ; (e)一供处理气体使用之入口;及 (f)一将气体泵出该处理区域之泵送出口, 其中该入口大致围绕该支撑件,其中该泵送出口与 该入口分开,其中该入口相对于该处理区域受到屏 蔽,且其中该入口系藉由界定在该室的一壁与一室 屏蔽部之间而受到屏蔽。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中该入口系延伸 出该支撑表面的位准以上。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中该入口由一或 多个孔口构成。 4.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括一充气 室或坑道,该充气室或坑道系大致围绕该支撑件且 位于该入口上游,其中该入口的气体电导小于该坑 道的气体电导。 5.如申请专利范围第4项之装置,其中该入口的电导 率沿其长度大致相等。 6.如申请专利范围第4项之装置,其中该坑道界定于 该室的一壁与一室屏蔽部之间。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中从该入口至该 泵送出口之气体电导系小于从该入口至该处理区 域之气体电导。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该泵送出口大 致围绕该支撑件。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中该支撑件可在 操作时升高及降低且具有一固定剖面部份,且其中 该室屏蔽部具有一往该固定剖面部份突起之延伸 部以共同界定该泵送出口,所以该出口在该支撑件 的所有操作位置中具有一固定的尺寸。 10.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括从该 入口上方的一点延伸入该室内之另一屏蔽部,以界 定位于该入口与该室之间的一气体扩散路径。 11.如申请专利范围第10项之装置,其中该支撑件可 在操作时升高及降低且具有一固定剖面部份,且其 中该室屏蔽部具有一往该固定剖面部份突起之延 伸部以共同界定该泵送出口,所以该出口在该支撑 件的所有操作位置中具有一固定的尺寸且其中该 另一屏蔽部突起以屏蔽该出口。 12.一种基材处理装置,包括一室以及一位于该室内 且可在操作时升高及降低之基材支撑件,其特征为 该基材支撑件具有一固定剖面部份,且该室或其上 的一元件系包括一突部,该突部用于与该固定剖面 部份合作以在该支撑件的所有操作位置中界定一 固定尺寸气体出口,该装置更包括一用于处理气体 的入口,该入口系藉由界定在该室的一壁与一室屏 蔽部之间而受到屏蔽。 13.如申请专利范围第12项之装置,其中该气体出口 为一泵送出口。 图式简单说明: 第1图为沿一溅镀装置的一边缘所取之剖视图;及 第2图为由数个孔口构成的一入口之示意图。 |
