| 发明名称 | 强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件 | ||
| 摘要 | 一种强电介质膜，由AB<SUB>1－X</SUB>Nb<SUB>X</SUB>O<SUB>3</SUB>的通式表示，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，其中0.1≤x≤0.4。 | ||
| 申请公布号 | CN1983464A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610172526.3 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健;滨田泰彰;名取荣治;大桥幸司 |
| 分类号 | H01B3/12(2006.01);C04B35/49(2006.01);C01G25/00(2006.01);C01G33/00(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L41/18(2006.01);B05C5/00(2006.01);B41J2/01(2006.01) | 主分类号 | H01B3/12(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种强电介质膜，由AB1-xNbxO3的通式表示，其中，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，0.1≤x≤0.4。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||