| 发明名称 | 半导体集成电路设备 | ||
| 摘要 | 半导体集成电路设备，包括电压控制电路，电压控制电路产生通过栅极电压来去激活场效应晶体管的控制电压。电压控制电路根据设备温度来控制电压，以便在实际上对在场效应晶体管处于非活动时流过的漏电流进行最小化。 | ||
| 申请公布号 | CN1983441A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610148592.7 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 下川健寿;古田博伺 |
| 分类号 | G11C8/08(2006.01);G11C11/406(2006.01);G11C11/408(2006.01);G05F1/567(2006.01) | 主分类号 | G11C8/08(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路设备，包括：场效应晶体管；以及电压控制电路，其产生将要提供给场效应晶体管中的栅极端子、用于去激活场效应晶体管的控制电压，电压控制电路根据设备温度来控制电压，从而实质地对在场效应晶体管处于非活动时流过的漏电流进行最小化。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||