| 发明名称 | CMP研磨剂及基板的研磨方法 | ||
| 摘要 | 一种CMP研磨剂以及使用该研磨剂研磨基板的被研磨面的基板的研磨方法，该研磨剂含有氧化铈颗粒、具有炔键(碳－碳三键)的有机化合物及水。本发明在使半导体装置制造过程中的层间绝缘膜及浅沟隔离用绝缘膜等平坦化的CMP(化学机械抛光)技术中，可进行有效率且高速的研磨。 | ||
| 申请公布号 | CN1982401A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200710001563.2 | 申请日期 | 2003.08.06 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 芳贺浩二;大槻裕人;仓田靖;榎本和宏 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);C09G1/02(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.一种化学机械抛光用研磨剂，其包含氧化铈颗粒、具有炔键的有机化合物及水，用于无机绝缘膜的研磨，其中，所述具有炔键的有机化合物以下述通式(II)表示：<img file="A2007100015630002C1.GIF" wi="1017" he="586" />其中，R<sup>3</sup>～R<sup>6</sup>各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～5的烷基，R<sup>7</sup>与R<sup>8</sup>各自独立地表示碳原子数为1～5的亚烷基，m与n各自独立地表示0或正数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||