一种加工制造微电子机械系统元器件的方法

摘要

本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统(MEMS)的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：1)压阻制备；2)薄膜制备；3)薄膜穿通释放。本发明提出的适用于微电子机械系统(MEMS)的可分段使用的硅薄膜压阻器件制造方法，为实现MEMS技术研究向分工合作的专业化发展奠定了坚实的基础。由于它具有分段使用、可裁剪的特点，因此可以让更多的人更专业的进入MEMS领域，不同的用户可以根据自己的需求截取所需步骤。这种加工制造方法的提出和标准工艺的开发将给MEMS技术的发展带来革命性的变化和发展。

主权项

1、一种元器件的制造方法，包括薄膜制备和下述步骤中的至少一个：1)压阻制备；2)薄膜穿通释放；其中，所述压阻制备包括以下步骤：(1)对硅基片进行热氧化；(2)对被氧化的硅基片进行第1次光刻；(3)对没有被光刻胶掩蔽的区域的SiO2进行腐蚀；(4)在腐蚀掉SiO2的区域进行离子注入11B+；(5)将注入到硅基片中的硼驱入；(6)对被氧化的硅基片进行第2次光刻；(7)对没有被光刻胶掩蔽的区域的SiO2进行刻蚀；(8)对刻蚀后形成的窗口区进行浓硼扩散，热氧化；(9)对被氧化的硅基片进行第3次光刻；(10)对没有被光刻胶掩蔽的区域的SiO2进行刻蚀；(11)对刻蚀后形成的窗口区进行浓磷扩散，热氧化；(12)对被氧化的硅基片进行第5次光刻，形成引线孔；(13)对没有被光刻胶掩蔽的区域的SiO2进行腐蚀；去胶；(14)在整个硅基片表面溅射金属铝或铬/金；(15)对被氧化的硅基片进行第6次光刻，形成正面金属引线图形；(16)对没有被光刻胶掩蔽的区域的SiO2进行腐蚀；去胶；所述薄膜制备包括以下步骤：(1)在硅基片的表面进行LPCVD氮化硅；(2)对硅基片进行第4次光刻，形成背腔区，第4次光刻为双面光刻；(3)RIE背面氮化硅；RIE正面氮化硅；背面去胶；(4)硅基片正面保护；在硅基片背面KOH腐蚀硅至剩30μm；所述薄膜穿通释放包括以下步骤：(1)在穿通区对硅基片进行第7次光刻；(2)ICP刻蚀没有光刻胶掩蔽的区域至穿通；去胶。