| 发明名称 | 用于封装半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于封装半导体器件的方法包括在基础衬底(10)中形成通孔(12)并且在所述基础衬底(10)的第一面(16)上沉积导电材料(14)来形成导电层(18)使得所述导电材料(14)填入所述通孔(12)。所述导电层(18)被图案化并蚀刻以便形成互连轨迹和焊盘(22)。在所述焊盘(22)上形成导电支柱(24)使得所述导电支柱(24)延伸通过各自的通孔(12)。 | ||
| 申请公布号 | CN1983533A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610163075.7 | 申请日期 | 2006.11.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 维斯万纳达姆·高萨姆 |
| 分类号 | H01L21/48(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L21/48(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜娟 |
| 主权项 | 1.一种用于封装可堆叠半导体器件的方法，包括步骤：在基础衬底中形成多个通孔；至少在所述基础衬底的第一面上沉积导电材料以便形成导电层，其中所述导电材料至少部分填充所述多个通孔；图案化并蚀刻所述导电层以便形成多个互连轨迹和多个焊盘；以及在所述多个焊盘上形成多个导电支柱，其中所述多个导电支柱延伸通过所述多个通孔中的相应通孔。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||