| 发明名称 | 一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺，将工艺中反应时的压力控制在600托，然后在用氮气退火使其致密，氮气退火温度可为800摄氏度或者850摄氏度。本发明由于将传统工艺中的压力提高到600torr，显著提高了BPSG的填孔能力，可以明显提高SAT BPSG的填孔能力，满足目前MSRAM和DRAM中对PMD的填孔性要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1982246A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200510111551.6 | 申请日期 | 2005.12.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 严玮;龚剑峰 |
| 分类号 | C03C19/00(2006.01);C03C17/00(2006.01) | 主分类号 | C03C19/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种掺杂硼磷的硅玻璃填孔工艺，其特征在于，工艺中反应时的压力为600托，然后在用氮气退火使其致密。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||