| 发明名称 | 锰掺杂磁半导体 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体材料，其是非氧化物材料或者是已经被掺杂的氧化物材料，其中所述材料被掺杂以锰Mn，且在室温和500K之间范围内的至少一温度是铁磁的。优选地，该锰掺杂材料具有5at％或以下的锰浓度。 | ||
| 申请公布号 | CN1985359A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200580016178.4 | 申请日期 | 2005.05.17 |
| 申请人 | NM斯平特罗尼克公司 | 发明人 | 文卡特·拉奥;帕马南德·沙马;阿米塔·格普塔;博杰·约翰森;雷吉夫·阿赫贾 |
| 分类号 | H01L21/24(2006.01);H01L21/324(2006.01);H01L29/66(2006.01) | 主分类号 | H01L21/24(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张波 |
| 主权项 | 1.一种半导体材料，是非氧化物材料或者是已经被掺杂的氧化物材料，其特征在于：所述材料被掺杂以锰Mn，且在室温和500K之间范围内的至少一温度是铁磁的。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||