| 发明名称 | 半导体电路装置及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种将距晶体管的阱端的距离考虑在内的半导体电路装置的设计方法。具有N阱(112)和P阱(113)的单元中，将从N阱(112)内的接触用N型区域(106)的中心线(121)到N阱端(101’)的距离SP04，设定成晶体管不受抗蚀剂影响的距离。从势阱边界(101)到接触用N型区域(106)的中心线(121)的距离等于SP04。P阱113上，也采取与N阱112相同的设计。由此，单元内的晶体管，可实现考虑来自一个方向的抗蚀剂的影响的建模。此外，通过作成满足上述条件的单元阵列，可以提高设计精度。 | ||
| 申请公布号 | CN1983600A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610170051.4 | 申请日期 | 2006.12.15 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 关户真策;山下恭司;大谷一弘;佐原康之;生驹大策 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体电路装置，其特征在于：在单元阵列形成区域中，将多个具有第一导电型的金属绝缘体半导体晶体管和第二导电型的金属绝缘体半导体晶体管的单元配置成阵列状而成，所述单元阵列形成区域中，多个第一导电型的第1阱和第二导电型的第2阱，被交错配置在栅极宽度方向上，所述第1阱和第2阱之中，所述单元阵列形成区域中的配置在栅极宽度方向的最外侧的外侧阱的外侧端部、与形成在外侧阱内的活性区域的距离，被设定为规定值以上。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||