双镶嵌工艺

摘要

本发明提供了一种应用三层阻抗的部分接触孔优先(partial－via－first)的双镶嵌工艺。首先形成第一接触孔，该第一接触孔穿过介电层的部分厚度，然后在介电层上形成三层阻抗结构，其中三层阻抗的底层填满第一接触孔。进行干式显影工艺去除顶层，使顶层的开口转移至中间层及底层，同时移除第一接触孔的底层以露出第一接触孔。之后进行干式蚀刻工艺以在第一接触孔下形成第二接触孔，并在第二接触孔上形成沟槽。最后进行湿式剥除工艺去除残留的光刻胶层。

主权项

1.一种双镶嵌工艺，包括：在一半导体基板上形成一介电层；形成一第一接触孔，该第一接触孔穿过该介电层的部分厚度；在该介电层上形成三层阻抗结构，该三层阻抗结构包括覆盖该介电层并填满该第一接触孔的一底层、覆盖该底层的一中间层以及覆盖该中间层并具有一开口的一顶层；进行一干式显影工艺去除该顶层，并使该开口转移至该中间层及该底层，同时去除该第一接触孔的该底层以露出该第一接触孔；进行一干式蚀刻工艺去除该中间层及部分的该介电层，在该第一接触孔下形成一第二接触孔，并在该第二接触孔上形成一沟槽；以及进行一湿式剥除工艺去除该底层。