| 发明名称 | 薄半导体芯片中集成器件的分割工艺 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体芯片内的集成器件的工艺，包含：形成部分悬挂于半导体衬底(2)上方并通过临时锚点(10、15’)限制于所述衬底(2)的半导体层(5’)；将所述层(5’)划分成横向相互分离的多个部分(13)；以及除去所述临时锚点(10、15’、38)以释放所述部分(13)。 | ||
| 申请公布号 | CN1985369A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200580016672.0 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | ST微电子公司 | 发明人 | 安娜·庞扎;里卡多·德佩特罗;皮特罗·蒙塔尼尼 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01) | 主分类号 | H01L21/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体芯片内的集成器件的工艺，包含步骤：形成部分悬挂于半导体衬底(2)上方并通过临时锚点(10、15’、38)限制于所述衬底(2)的半导体层(5’)；将所述层(5’)划分成横向相互分离的多个部分(13、27、32)；以及除去所述临时锚点(10、15’、38)以释放所述部分(13、27、32)。 | ||
| 地址 | 意大利布里安扎 | ||