| 发明名称 | 氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氮化物多量子阱发光二极管的生长方法。采用金属有机化合物气相沉积方法先在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；然后置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；再按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。可提高氮化物多量子阱发光二极管外延片的晶体质量，提高氮化物多量子阱蓝色、紫色及紫外发光二极管外延片光荧光(PL)强度。进而，提高氮化物蓝色、紫色及紫外发光二极管的发光强度。可广泛应用于金属有机化学气相沉积技术领域。 | ||
| 申请公布号 | CN1322596C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN03156440.2 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 杨志坚;张国义;李忠辉;余彤军;胡晓东;陈志忠;秦志新;章蓓 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人 | 余长江 |
| 主权项 | 1、一种氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其步骤包括：1)采用金属有机化学气相沉积方法在带有陪片的石墨舟上生长一层AlGaN薄膜；2)置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；3)按金属有机化学气相沉积方法正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管结构。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀颐和园路5号 | ||