发明名称 复合等离子体表面处理装置
摘要 复合等离子体表面处理装置。本发明涉及一种工件表面处理装置。扩散泵(2)通过管道(4)与真空室(1-2)和旋片泵(3)相连接,真空室1-2的上盖1-3与二级真空室(6-1)相连接,真空室(1-2)的侧壁上设有观察窗(1-6),真空室(1-2)的侧壁上装有磁控溅射靶(1-4)、真空阴极弧(1-5),真空室(1-2)内腔装有射频天线(1-7)和样品台(1-10),样品台(1-10)与中心电极(10-1)相连接,中心电极(10-1)与真空室(1-2)的底座之间装有绝缘套(1-13),绝缘套(1-13)与中心电极(10-1)之间装有密封件(1-14),中心电极(10-1)上的电刷(10-2)与高压电缆(9-1)相连接。本装置通过产生多种粒子使工件表面获得较厚的膜层和膜层多样化。本装置用于工件表面复合等离子体处理上。
申请公布号 CN1322167C 申请公布日期 2007.06.20
申请号 CN200410044011.6 申请日期 2004.11.05
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 田修波;崔江涛;杨士勤
分类号 C23C28/00(2006.01) 主分类号 C23C28/00(2006.01)
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人 岳泉清
主权项 1、一种复合等离子体表面处理装置,它由真空装置(1)、二级真空装置(6)、扩散泵(2)、旋片泵(3)、管道(4)、第一阀门(7)、第二阀门(5)、接盘(8)、电缆(9)、动力输入装置(10)组成;其特征在于扩散泵(2)通过第一阀门(7)及管道(4)与真空装置(1)中的真空室(1-2)相连接,扩散泵(2)通过第一阀门(7)、管道(4)及第二阀门(5)与旋片泵(3)相连接,真空装置(1)中的上盖(1-3)通过接盘(8)与二级真空装置(6)中的二级真空室(6-1)相连接,所述的真空装置(1)包括真空室(1-2)、上盖(1-3)、磁控溅射靶(1-4)、真空阴极弧(1-5)、观察窗(1-6)、射频天线(1-7)、样品台(1-10)、进水口(1-11)、出水口(1-12)、绝缘套(1-13)、密封件(1-14);真空室(1-2)的上端装有上盖(1-3),真空室(1-2)的侧壁上设有进水口(1-11)、出水口(1-12)、观察窗(1-6),真空室(1-2)的侧壁上装有磁控溅射靶(1-4)、真空阴极弧(1-5),真空室(1-2)内腔装有射频天线(1-7)和样品台(1-10),样品台(1-10)与动力输入装置(10)中的中心电极(10-1)相连接,中心电极(10-1)与真空室(1-2)的底座之间装有绝缘套(1-13),绝缘套(1-13)与中心电极(10-1)之间装有密封件(1-14),中心电极(10-1)上的电刷(10-2)与电缆(9)中的高压电缆(9-1)相连接。
地址 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号
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