发明名称 Vertically structured GaN type light emitting diode device and method of manufacturing the same
摘要
申请公布号 KR100730072(B1) 申请公布日期 2007.06.20
申请号 KR20050117958 申请日期 2005.12.06
申请人 发明人
分类号 H01L33/00;H01L33/06;H01L21/306;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/38;H01L33/42 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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