发明名称 半模基片集成波导180度三分贝定向耦合器
摘要 半模基片集成波导180度三分贝耦合器涉及一种毫米波与微波器件,该耦合器在介质基片(1)正面中线的两边分别设有一个第一半模基片集成波导(4)、第二半模基片集成波导(5),在第一半模基片集成波导(4)的两端分别为输入端(41)和输出端(42),在第二半模基片集成波导(5)的两端分别为隔离端(51)和耦合端(52),上述第一半模基片集成波导(4)、第二半模基片集成波导(5)共用由一排金属化通孔(3)构成的分隔条带,其上还设有耦合缝(6),在以耦合缝(6)为中心上侧的第一半模基片集成波导(4)开口面上设有一个上金属缺口(44),在耦合缝(6)下侧的第二半模基片集成波导(5)开口面上设有一个下金属缺口(54)。
申请公布号 CN2914357Y 申请公布日期 2007.06.20
申请号 CN200620074788.1 申请日期 2006.07.10
申请人 东南大学 发明人 洪伟;刘冰;张彦
分类号 H01P5/00(2006.01) 主分类号 H01P5/00(2006.01)
代理机构 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人 叶连生
主权项 1.一种半模基片集成波导180度三分贝耦合器,其特征在于该耦合器在介质基片(1)正面中线的两边分别设有一个第一半模基片集成波导(4)、第二半模基片集成波导(5),在第一半模基片集成波导(4)的两端分别为输入端(41)和输出端(42),在第二半模基片集成波导(5)的两端分别为隔离端(51)和耦合端(52),上述第一半模基片集成波导(4)、第二半模基片集成波导(5)共用由一排金属化通孔(3)构成的分隔条带,其上还设有耦合缝(6),在以耦合缝(6)为中心上侧的第一半模基片集成波导(4)开口面上设有一个上金属缺口(44),在耦合缝(6)下侧的第二半模基片集成波导(5)开口面上设有一个下金属缺口(54)。
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