| 发明名称 | 一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法，包括如下步骤：首先确定栅氧加厚区域，即将从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内到硅区域与浅沟道隔离区域交界处定义为栅氧加厚区域(a)；然后修改相应的光刻板版图；再进行浅沟道隔离和阱离子注入，再在所述栅氧加厚区域(a)生长一层厚栅氧，再进行光刻并完全刻蚀掉晶体管中间部分的厚栅氧；最后生长栅氧的和淀积多晶硅栅。本发明通过加厚靠近浅沟道隔离区域的栅氧的方法来改善MOS场效应管中由反窄沟道效应引起的阈值电压(Vt)下降的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1983528A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200510111420.8 | 申请日期 | 2005.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 伍宏;陈晓波 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种减小MOS场效应管反窄沟道效应的方法，其特征在于，包括如下步骤：首先确定栅氧加厚区域，在MOS场效应管宽度(W)方向的两端，从靠近硅区域与浅沟道隔离区域交界处的硅区域内到硅区域与浅沟道隔离区域交界处之间的区域定义为栅氧加厚区域(a)；然后修改相应的光刻板版图；再进行浅沟道隔离和阱离子注入；此后，生长一层厚栅氧，再进行光刻并将晶体管中间部分的厚栅氧完全刻蚀掉，剩下所述栅氧加厚区域(a)中的厚栅氧；最后，进行栅氧的生长，多晶硅栅的淀积。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||