| 发明名称 | 形成栅极介电层的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种形成栅极介电层的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成下氧化物层、氮化物层以及上氧化物层；对半导体衬底执行第一清洗处理，在第一区域中保留下氧化物层、氮化物层以及上氧化物层，同时在第二、第三以及第四区域中去除氮化物层和上氧化物层；在第二、第三以及第四区域中形成具有第一厚度的第一栅极介电层；对第三区域中的第一栅极介电层执行第二清洗处理，由此形成具有第二厚度的第二栅极介电层；并在第四区域上的第一栅极介电层上执行第三清洗处理，由此形成具有第三厚度的第三栅极介电层。所述方法用于形成厚度不同的栅极介电层。 | ||
| 申请公布号 | CN1983563A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610168809.0 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 东部电子股份有限公司 | 发明人 | 尹哲镇 |
| 分类号 | H01L21/8234(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8234(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种形成厚度不同的栅极介电层的方法，包括如下步骤：在半导体衬底上形成具有第一厚度的第一栅极介电层；在所述第一栅极介电层的第一区域上执行第一清洗处理，由此形成具有第二厚度的第二栅极介电层；以及在所述第一栅极介电层的第二区域上执行第二清洗处理，由此形成具有第三厚度的第三栅极介电层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||