| 发明名称 | 氮化物半导体发光器件和制备氮化物半导体激光器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件含有涂有涂膜的发光部分，所述发光部分由氮化物半导体形成，并且与发光部分接触的涂膜由与发光部分相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在所述氧氮化物膜上的氧化物膜形成。还提供一种制备含有具有被涂膜涂覆的小面的空腔的氮化物半导体激光器的方法，该方法包括以下步骤：提供解理以形成空腔的小面；和用涂膜涂覆空腔的小面，所述涂膜由与空腔的小面相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在氧氮化物膜的氧化物膜形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1983654A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610168827.9 | 申请日期 | 2006.12.14 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 川口佳伸;神川刚 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈瑞丰 |
| 主权项 | 1.一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件含有涂有涂膜的发光部分，其中所述发光部分由氮化物半导体形成，并且与所述发光部分接触的所述涂膜由与所述发光部分相邻沉积的氧氮化物膜和沉积在所述氧氮化物膜上的氧化物膜形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||