| 发明名称 | 强电介质电容器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1983519A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610172525.9 | 申请日期 | 2003.10.23 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健;滨田泰彰;名取荣治;大桥幸司 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/3105(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L41/22(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种强电介质电容器的制造方法，包括：在所定的基体上形成下部电极的工序；在所述下部电极上形成由含有Pb、Zr、Ti和Nb作为构成元素的PZTN复合氧化物构成的强电介质膜的工序；在所述强电介质膜上形成上部电极的工序；形成保护膜，以覆盖所述下部电极、强电介质膜和上部电极的工序；和至少在形成所述保护膜之后，进行用于使所述PZTN复合氧化物结晶的热处理的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||