发明名称 A METHOD OF FORMING A TRENCH ISOLATION STRUCTURE ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND A SEMICONDUCTOR APPARATUS
摘要
申请公布号 KR100729945(B1) 申请公布日期 2007.06.20
申请号 KR20050074051 申请日期 2005.08.12
申请人 发明人
分类号 H01L21/306;H01L21/76 主分类号 H01L21/306
代理机构 代理人
主权项
地址