| 发明名称 | 多晶硅炉的喷嘴 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅炉的喷嘴，在所述喷嘴的端部增加一延长部，延长部与喷嘴之间的夹角为直角，在所述延长部上等距离分布多个出气口。本发明通过对通入炉内硅烷的气体喷嘴进行加长，并在其延长部分的管壁上增加一些出气口，使参与反应的硅烷气体的分压比在炉内各个位置保持不变。最终实现炉内各个位置在相同温度下，其淀积速率保持一致。本发明可控制多晶硅炉内晶粒直径差，减小高电阻产品中多晶硅装置的炉内阻值差，提高产品的成品率。 | ||
| 申请公布号 | CN1982213A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200510111430.1 | 申请日期 | 2005.12.13 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 董颖 |
| 分类号 | C01B33/027(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B25/14(2006.01);B01J19/26(2006.01) | 主分类号 | C01B33/027(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1、一种多晶硅炉的喷嘴，其特征在于：在所述喷嘴的端部增加一延长部，延长部与喷嘴之间的夹角为直角，在所述延长部上等距离分布多个出气口。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||