| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。目的在于：提供可在不随特性变动的情况下，改善负偏置温度不稳定性(NBTI)的劣化的半导体装置。形成在n型半导体区域(101)的第一区域(阳极金属氧化物半导体)中的第一金属绝缘体半导体(MIS)型晶体管，包括第一栅极绝缘膜(103)、第一栅极电极(104)、第一延伸扩散层(106)和第一氟扩散层(108)。第一氟扩散层(108)形成在由第一延伸扩散层(106)夹着的沟道区域中，形成为从第一延伸扩散层(106)一侧延伸，在第一栅极电极(104)的正下方的区域重叠在一起。 | ||
| 申请公布号 | CN1983634A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610132088.8 | 申请日期 | 2006.10.24 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 粉谷直树;濑部绍夫;冈崎玄;玉置德彦 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/088(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体装置，包括第一金属绝缘体半导体型晶体管，形成在半导体区域的第一导电型第一区域中，其特征在于：上述第一金属绝缘体半导体型晶体管，包括：第一栅极绝缘膜，形成在上述第一区域上；第一栅极电极，形成在上述第一栅极绝缘膜上；第二导电型第一延伸扩散层，形成在上述第一区域的位于上述第一栅极电极侧方之下的区域中；以及第一氟扩散层，形成在由上述第一延伸扩散层夹着的第一导电型第一沟道区域中，以从上述第一延伸扩散层一侧延伸，在上述第一栅极电极的正下方区域重叠的方式形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||