硅和硅锗量子点阵列的制备方法

摘要

硅和硅锗量子点阵列的制备方法，属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理；然后将质量百分比浓度范围为0.01％-0.9％的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤1清洗干净的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片表面，置于空气中自然晾干；再将排好聚苯乙烯小球阵列的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片在90℃-110℃保温1-6min，用真空蒸镀仪往基底上沉积25-100nm厚的Ag膜；将沉积好Ag膜的样品浸入氢氟酸和硝酸铁腐蚀液中处理。由于本制备方法简单，不需要复杂设备就能制备出大面积有序排布的硅量子点阵列和硅锗量子点阵列，适宜于规模化工业生产。

主权项

1、硅和硅锗量子点阵列的制备方法，其特征在于：所述方法依次按如下步骤进行：(1)硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理，表面显示良好的亲水性；(2)将质量百分比浓度范围为0.01％-0.9％的聚苯乙烯小球溶液用微量可调移液管滴到步骤1清洗干净的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片表面，置于空气中自然晾干；(3)蒸镀银之前，将排好聚苯乙烯小球阵列的硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片在90℃-110℃保温1-6min，然后用真空蒸镀仪往基底上沉积25-100nm厚的Ag膜；(4)将沉积好Ag膜的样品浸入Fe(NO3)3+HF+H2O腐蚀液中处理10-600s。