发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
摘要
申请公布号 BE785397(A1) 申请公布日期 1972.10.16
申请号 BE19720785397 申请日期 1972.06.23
申请人 RCA CORP., 30 ROCKEFELLER PLAZA, NEW YORK, N.Y. 10020 (E.U.A.), 发明人 A.G.F. DINGWALL.
分类号 H01L21/00;H01L21/336;H01L29/00;(IPC1-7):H01L/ 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
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