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发明名称
PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
摘要
申请公布号
BE785397(A1)
申请公布日期
1972.10.16
申请号
BE19720785397
申请日期
1972.06.23
申请人
RCA CORP., 30 ROCKEFELLER PLAZA, NEW YORK, N.Y. 10020 (E.U.A.),
发明人
A.G.F. DINGWALL.
分类号
H01L21/00;H01L21/336;H01L29/00;(IPC1-7):H01L/
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
主权项
地址
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