一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法

摘要

本发明公开了一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法，使用化学机械抛光设备对硅片研磨，在该化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器，然后循环执行以下步骤：在该化学机械抛光设备上安装新的固定环，重新设定固定环厚度值，将研磨头转到HCLU正上方，测量新的固定环上的压力值并自动记录，化学机械抛光设备开始研磨作业，当研磨头转到HCLU时，在卸下硅片的同时测量固定环的厚度，根据该厚度差计算研磨时的压力补偿值并进行调整，当固定环的厚度变薄时，应当适当调低对固定环的压力，使硅片周边的研磨速率保持不变，再进行下一次硅片研磨作业。本发明可调整研磨时retainer ring的压力输出，提高了CMP工艺的硅片周边的残膜厚度的稳定性。

主权项

1、一种自动调节化学机械抛光设备硅片研磨压力的方法，使用化学机械抛光设备对硅片研磨，其特征在于，在所述化学机械抛光设备的HCLU内加装压力感应传感器，然后循环执行以下步骤：在所述化学机械抛光设备上安装新的固定环，重新设定固定环厚度值，将研磨头转到所述HCLU正上方，测量该新的固定环上的压力值并自动记录，所述化学机械抛光设备开始研磨作业，当研磨头转到所述HCLU时，在卸下硅片的同时测量固定环的厚度，根据该厚度差计算研磨时的压力补偿值并进行调整，使硅片周边的研磨速率保持不变，再进行下一次硅片研磨作业。