绝缘栅双极晶体管

摘要

一种半导体器件，具有集电极、集电极上形成的p⁺集电极区(22)、集电极区上形成的n^－漂移区(24)、漂移区上形成的p^－体区(26)、以及体区中形成的多个n⁺发射极区(28)。发射极区连接到发射极。多个沟槽栅极(32)形成于体区中。每个沟槽栅极通过绝缘层(34)与将漂移区和发射极区隔开的那部分体区相对。体区被分为多个体区段，这些体区段被划分为两组。一组(26a)在体区段中带有发射极区，另一组(26b)在体区段中不带发射极区。多个第一沟槽(35a、35b、35c)形成于不带发射极区的体区段中。

主权项

1.一种半导体器件，包括：集电极；集电极区，具有第一导电类型并连接到所述集电极；漂移区，具有第二导电类型并连接到所述集电极区；体区，具有所述第一导电类型并由所述漂移区与所述集电极区分开；多个发射极区，每个发射极区具有所述第二导电类型并由所述体区与所述漂移区分开；发射极，连接到所述发射极区；多个沟槽栅极，每个沟槽栅极通过绝缘层与将所述漂移区与所述发射极区分开的那部分体区相对，所述体区被多个沟槽栅极分为多个体区段，所述体区段被划分成两组，其中一组体区段在其中带有发射极区，另一组体区段在其中不带发射极区；多个第一沟槽，形成于不带发射极区的那组体区段中；周边区域，环绕所述发射极区和所述沟槽栅极；以及触点区，具有所述第一导电类型，形成于所述第一沟槽和所述沟槽栅极之间，并电连接到所述发射极，其中，位于所述第一沟槽之间的部分所述体区段通过所述触点区电连接到所述发射极。