发明名称 |
一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法。本发明通过拆分特性测试的失效结构生成多个虚拟缺陷,并合成检测缺陷结果的方法,实现了自动自动扫描电子显微镜对失效位置的寻找确认和分析。本发明可以避免对硅片的破坏性分析,提高分析效率和成功率,同时实现对检测程序的实时反馈,提高程序优化的效率和准确率。本发明适用于半导体工艺中BEOL测试芯片在线失效分析方法。 |
申请公布号 |
CN1982902A |
申请公布日期 |
2007.06.20 |
申请号 |
CN200510111418.0 |
申请日期 |
2005.12.13 |
申请人 |
上海华虹NEC电子有限公司 |
发明人 |
殷建斐 |
分类号 |
G01R31/00(2006.01);G01R31/02(2006.01);G01R31/26(2006.01);G01R31/28(2006.01);H01L21/66(2006.01) |
主分类号 |
G01R31/00(2006.01) |
代理机构 |
上海浦一知识产权代理有限公司 |
代理人 |
丁纪铁 |
主权项 |
1.一种BEOL测试芯片在线失效分析的方法,其特征在于,包括以下步骤:第一步,硅片缺陷检测机台对硅片进行缺陷检测,并生成KRF格式文件;第二步,特性测试仪对该枚硅片进行开路和短路测试,生成KRF格式的失效位置文件;第三步,将失效位置文件中每一个失效的测试结构分解为自动扫描电子显微镜可以搜索到的多个区域,并分别以每一区域的中心为坐标生成相应数量的虚拟缺陷;第四步,将第三步中得到的虚拟缺陷位置与硅片缺陷检测机台生成的结果文件合并成一个KRF格式文件,并传送至自动扫描电子显微镜;第五步,编辑自动扫描电子显微镜程序,用硅片缺陷检测机台检出的缺陷作为位置补正,对特性测试的失效结构进行全面的自动查找,找出缺陷进行确认分析;第六步,使用当前硅片对硅片缺陷检测机台未检测到而在特性测试的失效结构中找到的缺陷模式进行精确到点的检测程序优化。 |
地址 |
201206上海市浦东新区川桥路1188号 |