半导体器件及其制造方法

摘要

半导体器件制造中，用干腐蚀法在层间绝缘膜中形成接触孔时产生静电。为了防止因所产生的静电移动损坏象素区或驱动电路区。在结晶半导体膜上的栅信号线相互隔开。在层间绝缘膜中开接触孔时不电连接第1保护电路。开接触孔进行的干腐蚀过程中产生的静电到达栅信号线之前，静电沿栅信号线移动，损坏栅绝缘膜，穿过结晶半导体膜，再损坏栅绝缘膜。随着干腐蚀中产生的静电损坏第1保护电路，静电能量减小，直到失去损坏驱动电路TFT的能力为止，由此防止静电放电损坏驱动电路TFT。

主权项

1.一种半导体器件，包括：在一个绝缘表面上形成的一个结晶半导体膜；在所述结晶半导体膜上形成的一个第一绝缘膜；局部覆盖所述结晶半导体膜、其间有所述第一绝缘膜的第一信号线和第二信号线；和处于所述第一信号线和所述第二信号线上的一个第二绝缘膜；处于所述第二绝缘膜上的金属布线；其中，所述第一信号线和第二信号线通过所述金属布线相互电连接。