| 发明名称 | 具有γ－LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有γ-LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其步骤：先合成制备γ-LiAlO<SUB>2</SUB>靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或硅单晶衬底上制备γ-LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜，本发明方法的工艺简单、易操作，此种具有γ-LiAlO<SUB>2</SUB>单晶薄膜覆盖层衬底材料适合于高质量GaN的外延生长。 | ||
| 申请公布号 | CN1322176C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200410066748.8 | 申请日期 | 2004.09.28 |
| 申请人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明人 | 夏长泰;王银珍;周圣明;张连翰;徐军 |
| 分类号 | C30B23/02(2006.01);C30B23/06(2006.01);C23C14/08(2006.01);C23C14/35(2006.01);H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | C30B23/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人 | 张泽纯 |
| 主权项 | 1、一种具有γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层衬底的制备方法，其特征是先制备γ-LiAlO2靶材，然后利用射频磁控溅射方法在α-Al2O3或硅衬底上形成γ-LiAlO2单晶薄膜覆盖层。 | ||
| 地址 | 201800上海市800－211邮政信箱 | ||