| 发明名称 | 单晶硅炉控制装置 | ||
| 摘要 | 一种单晶硅炉控制装置，包括：处理器、温度控制器、温度传感器、熔体温度器、晶体拉速控制器、晶体跟踪控制器、晶体直径传感器和功率控制器。其中，处理器连接所述的温度控制器、晶体直径传感器和晶体拉速控制器，所述的晶体拉速控制器与晶体跟踪控制器相连，所述的晶体直径传感器与熔体温度器相连，另外，所述的温度控制器还与温度传感器相连，所述的温度传感器再与熔体温度器相连，所述的熔体温度器再与功率控制器相连，所述的功率控制器再与温度控制器相连，该实用新型的优点是：显著改进单晶硅制备的生产效率和极大地提高硅单晶的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN2913393Y | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200620117926.X | 申请日期 | 2006.05.30 |
| 申请人 | 北京京运通真空设备厂 | 发明人 | 张志新;王军;安桂正 |
| 分类号 | C30B15/20(2006.01) | 主分类号 | C30B15/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京汇泽知识产权代理有限公司 | 代理人 | 闫立德 |
| 主权项 | 1.一种单晶硅炉控制装置，其特征在于包括：中央处理器、温度控制器、温度传感器、熔体温度器、晶体拉速控制器、晶体跟踪控制器、晶体直径传感器和功率控制器，其中，中央处理器连接所述的温度控制器、晶体直径传感器和晶体拉速控制器，所述的晶体拉速控制器与晶体跟踪控制器相连，所述的晶体直径传感器与熔体温度器相连，另外，所述的温度控制器还与温度传感器相连，所述的温度传感器再与熔体温度器相连，所述的熔体温度器再与功率控制器相连，所述的功率控制器再与温度控制器相连。 | ||
| 地址 | 101113北京市通州工业开发区张家湾西定福庄 | ||