发明名称 双位存储器擦除校验方法及系统
摘要 本发明提供一种方法(22)以及系统,用来校验存储单元的擦除,此方法与装置可使用于双位存储单元结构体系中。此方法(22)包含:选择性校验存储单元的第一位(26,28)和存储单元的第二位(30,32)的其中一个的适度擦除;若该存储单元的第一和第二位均已适度擦除,则确定此双位存储单元已适度擦除;以及若第一和第二位中,其中有一个位并未适度擦除,则选择性地擦除(40)存储单元的第一和第二位中的至少一个位。此方法亦可包含在选择性地擦除该第一或第二位中的至少一个位之后,选择性地再校验第一和第二位(42,26,28)中其中一个位的适度擦除。
申请公布号 CN1322515C 申请公布日期 2007.06.20
申请号 CN01819292.0 申请日期 2001.08.07
申请人 斯班逊有限公司 发明人 E·V·波提斯塔;D·汉米尔顿;W·F·李;陈伯苓;K·H·王
分类号 G11C16/34(2006.01);G11C16/04(2006.01) 主分类号 G11C16/34(2006.01)
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人 戈泊;程伟
主权项 1.一种校验双位存储单元的擦除的方法(22),包含:执行该双位存储单元中,第一位是否适度擦除的判定(26,28);若该第一位系适度擦除,则执行该双位存储单元中,第二位是否适度擦除的第一校验(30,32);以及若该第一位系适度擦除,且根据该第一校验,若该第二位系适度擦除,则确定该双位存储单元已适度擦除。
地址 美国加利福尼亚州