半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，接合形成在第一半导体衬底上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底上的第二金属凸起。该方法包括：在所述第一金属凸起和所述第二金属凸起中的至少一方的顶端部形成由低熔点金属构成的层的低熔点金属层形成步骤；在使所述第一半导体衬底和所述第二半导体衬底分开的状态下，使所述第一半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以上的第一温度，且使所述第二半导体衬底为所述低熔点金属的固相线温度以下的第二温度的衬底温度调整步骤；该衬底温度调整步骤之后使所述第一金属凸起和所述第二金属凸起接近的金属凸起接近步骤；在该金属凸起接近步骤之后使第一半导体衬底和第二半导体衬底为低熔点金属的固相线温度以下的步骤。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，是接合形成在第一半导体衬底的一方表面上的第一金属凸起和形成在第二半导体衬底的一方表面上的第二金属凸起而构成的半导体装置的制造方法，包括：在所述第一和第二金属凸起中的至少一方的顶端上形成由低熔点金属构成的层的步骤；在所述第一和第二金属凸起中的至少一方的顶端上涂敷熔剂的熔剂涂敷步骤；在该熔剂涂敷步骤后，使所述第一半导体衬底的所述一方表面和所述第二半导体衬底的所述一方表面相对，用所述熔剂把所述第一金属凸起和所述第二金属凸起暂时固定的暂时固定步骤；在该暂时固定步骤后，把所述第一和第二半导体衬底加热到由所述低熔点金属构成的层的固相线温度以上的温度的加热步骤。