| 发明名称 | 多晶硅层、使用其的平板显示器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多晶硅层，一种使用所述多晶硅层的平板显示器及其制造方法。所述多晶硅层通过使用超晶粒硅结晶(SGS)技术结晶非晶硅层的籽晶区而形成。所述籽晶区的结晶度扩散入籽晶区之外的结晶区。所述结晶区形成为可以被结合以制成驱动平板显示器的薄膜晶体管的半导体层。用本发明的方法制成的所述半导体层提供了一致的晶界的生长，并且改善了由所述半导体层制成的薄膜晶体管的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1983571A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610166982.7 | 申请日期 | 2006.12.13 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 梁泰勋;李基龙;徐晋旭;朴炳建 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L27/32(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/84(2006.01);C30B29/06(2006.01) | 主分类号 | H01L23/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种多晶硅层，包括：基底；在所述基底上形成的籽晶区，所述籽晶区具有至少3.5微米的宽度；和在所述基底上通过籽晶区生长并且形成的结晶区。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||