发明名称 | 奈米金属点列阵及其制法 | ||
摘要 | 本发明揭露一种奈米金属点列阵及其制法。首先,将一团联式共聚物之高分子薄膜沉积在一导电基板上。此团联式共聚物包含第一高分子链段与第二高分子链段,且第一高分子链段呈定向性排列。接着,将第一高分子链段选择性地裂解以形成一具有奈米孔洞之高分子奈米模板。之后,以电镀法将金属沉积于奈米孔洞中,便得到一奈米金属点列阵。 | ||
申请公布号 | TW200722559 | 申请公布日期 | 2007.06.16 |
申请号 | TW094142922 | 申请日期 | 2005.12.06 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 何荣铭;陈英茂;曾宇璨;柯宝灿;曾文贤 |
分类号 | C25D7/12(2006.01) | 主分类号 | C25D7/12(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |