| 摘要 |
本发明揭示了一种记忆体单元(100、200、904、1006)，系由至少两个电极(110、120、906、908、1002、1004)以及在该等至少两个电极(110、120、906、908、1002、1004)之间的可控制的导电媒介(conductive media)(130、910)所构成。当将诸如施加的电场等的外部激源施加于该第一及第二电极(110、120、906、908、1002、1004)时，离子移动，且掺杂聚合物，及(或)消除对该聚合物的掺杂。用来掺杂该聚合物的施加之外部激源大于用来操作该记忆体单元(100、200、904、1006)的施加之外部激源。该聚合物用来作为具有可变耐破坏特性(breakdown characteristic)之二极体，而该二极体具有为掺杂程度的结果之电气特性。该记忆体元件可具有限流式读取信号。本发明也揭示了制造该记忆体装置/单元之方法、使用该记忆体装置/单元之方法、以及包含记忆体单元(100、200、904、1006)的装置。 |
