发明名称 | 一种堆叠非挥发性记忆元件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明系揭露一种堆叠非挥发性记忆元件,其包括复数个彼此堆叠之位元线层与字元线层。位元线层包括复数条位元线,这些位元线可以利用先进的制造技术,而有效率地且经济地制造此元件。此元件可组态为适用于反及(NAND)操作中。 | ||
申请公布号 | TW200723454 | 申请公布日期 | 2007.06.16 |
申请号 | TW095141947 | 申请日期 | 2006.11.13 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;吕函庭;谢光宇 |
分类号 | H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 李贵敏 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |