制作应变矽互补式金氧半导体电晶体的方法

摘要

首先提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一主动区域用以制备一第一电晶体以及一第二主动区域用以制备一第二电晶体。然后形成一第一闸极结构于该第一主动区域上、一第二闸极结构于该第二主动区域上以及一第一侧壁子于各闸极结构上，接着形成该第一电晶体与该第二电晶体之源极与汲极区域。随后移除该第一闸极结构与该第二闸极结构周围之第一侧壁子、覆盖一遮盖层于该第一电晶体及该第二电晶体表面以及去除该第二电晶体表面之该遮盖层。然后各形成一凹槽于该第二电晶体之闸极结构上及周围，接着于该凹槽内分别形成一磊晶层。