发明名称 内连线结构及其制造方法、半导体装置
摘要 本发明提供一种铜内连线结构以做为内连线。上述内连结构具有一铜凹陷,其位于以铜填入位于一介电层中的一介层孔/沟槽的一镶嵌结构中。再者,上述内连线结构也可以具有一金属覆盖层,填入上述铜凹陷中。
申请公布号 TW200723448 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095125785 申请日期 2006.07.14
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 石健学;蔡明兴;苏鸿文
分类号 H01L21/768(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号