半导体装置中使用高选择性硬蚀刻幕罩以形成沟渠之方法以及隔离之方法

摘要

本发明提供使用高选择比硬式遮罩形成沟渠之方法及用其隔离半导体元件之方法。该方法包含：在基板上形成第一硬式遮罩，第一硬式遮罩包含氧化物层和氮化物层；在第一硬式遮罩上，形成具有高选择比之第二硬式遮罩；在第二硬式遮罩上，形成蚀刻障碍层和抗反射涂层；在抗反射涂层上形成感光图案；使用感光图案当作蚀刻障碍层，蚀刻抗反射涂层，蚀刻障碍层，和第二硬式遮罩；使用第二硬式遮罩当作蚀刻障碍层，蚀刻第一硬式遮罩和基板，以形成沟渠；及移除第二硬式遮罩。