非挥发性记忆体的制造方法

摘要

一种非挥发性记忆体的制造方法，首先在基底上形成穿隧介电层。然后，于穿隧介电层上形成多个矽奈米点。接着，进行金属矽化制程，以使这些矽奈米点转变成多个金属矽化物奈米点。随后，于基底上依序形成介电层与导体层，以覆盖这些金属矽化物奈米点与穿隧介电层。继之，图案化导体层、介电层、金属矽化物奈米点与穿隧介电层，以形成闸极结构。然后，于闸极结构两侧之基底中形成源极/汲极区。