氮化铝烧结体、半导体制造用构件及氮化铝烧结体之制造方法

摘要

提供高温高压环境下高体积电阻率之氮化铝烧结体、半导体制造用构件、及氮化铝烧结体之制造方法。本发明之氮化铝烧结体之特征在于：以氮化铝为主成分并含有0.4~2.5wt%之镁与2.0~5.0wt%之钇，且平均粒径为1.0微米以下。