半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，包括：提供一基底，其包括一浅沟槽隔离区；形成一第一绝缘层于该基底上；形成一第一导电层于该第一绝缘层上；形成一硬罩幕层于该第一导电层上；定义该硬罩幕层及该第一导电层以形成一闸极结构；形成一第二绝缘层以覆盖该基底；蚀刻该第二绝缘层以穿过该第一绝缘层至该基底形成一第一孔洞，并于该闸极结构侧壁上形成一第一绝缘间隔层；形成一第二导电层以覆盖该闸极结构并填入该第一孔洞；平坦化该第二导电层以于该第一孔洞之位置形成一凹陷区；形成一第三绝缘层以覆盖该闸极结构及填入该凹陷区；平坦化该第三绝缘层；定义该第三绝缘层及该第二导电层以形成露出该浅沟槽隔离区之第二孔洞；形成一第四绝缘层以覆盖该第三绝缘层及填入该第二孔洞；形成一导电差塞，其穿过第三及第四绝缘层以电性接触该第二导电层。