使用混合指向基材的半导体元件与其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体元件，其包含具有一第一晶体指向之半导体材料的半导体本体。一第一电晶体系形成在该第一晶体指向之半导体材料中。一绝缘层覆盖部份之半导体本体，及一半导体层覆盖该绝缘层。该半导体层具有一第二晶体指向。一第二电晶体系形成在该第二晶体指向之半导体层中。在较佳实施例中，该半导体本体系(100)矽，该第一电晶体系一NMOS电晶体，该半导体层系(110)矽，及该第二电晶体系一PMOS电晶体。