发明名称 用于形成黏着强化层之材料,黏着强化层,半导体元件及其制造方法
摘要 本发明目的在提供:一种用以形成一能加强一低介电常数薄膜,特别是一含有一无机材料之低介电常数薄膜,与其他部分之间黏着的黏着加强层之材料;一种由该材料所形成并展现优越黏着的黏着加强层;一种具有该黏着加强层之快速且高度可靠的半导体元件;及其制造方法。该用于形成一黏着加强层之材料含有具有一硷性机能群之有机烷氧基矽烷、一硷性添加物及有机烷氧基矽烷中至少任何一个。该黏着加强层系由该材料所形成。该半导体元件之制造方法包含一用于形成一低介电常数薄膜之程序、以及至少在该形成一低介电常数薄膜之程序之前或之后的一用于形成一具有该材料的黏着加强层的程序。
申请公布号 TW200723354 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095110288 申请日期 2006.03.24
申请人 富士通股份有限公司 发明人 今纯一;矢野映;中田义弘;今田忠紘
分类号 H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本