发明名称 具堆叠电晶体表决之双路径冗余
摘要 本发明提出用于辐射加固(radiation hardening)一组合逻辑电路的一种操作方法及一种装置。识别待经辐射加固之逻辑的一部分。一完整逻辑电路或该逻辑电路之一部分可经辐射加固。一旦识别逻辑之该部分,一场效电晶体(FET)经复制以建立一表决器FET。该表决器FET耦接于一原始节点(或讯号)及一复制节点(或讯号)。若一辐射事件撞击该原始节点或该复制节点,则该表决器FET将藉由防止一通过该表决器FET之导电路径,来防止一扰动传播至下游逻辑。另外,经复制以建立该复制节点之所有电路亦可经受一辐射事件,而未使得一扰动传播至下游逻辑。
申请公布号 TW200723693 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095128317 申请日期 2006.08.02
申请人 哈尼威尔国际公司 发明人 马克E 佛莱德曼
分类号 H03K19/20(2006.01) 主分类号 H03K19/20(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国